近日，总部位于加州的创新科技公司Halo Industries近期宣布，公司在B轮风险投资中成功筹集了8000万美元(折合人民币约5.8亿元)资金，标志着其在采用激光技术革新碳化硅(SiC)半导体晶圆衬底生产领域的重大突破。
此次融资由美国创新技术基金(USIT)领投，8VC与SAIC等重量级投资机构参与，旨在加速技术商业化进程，确立Halo在SiC衬底生产领域的新“黄金标准”。
这家初创企业2014年从斯坦福大学的一个研究实验室分离出来，开发用于制造太阳能和半导体应用的薄而柔性硅的工具和技术。公司坐落于圣克拉拉，近年来以其颠覆性的多步骤工艺挑战行业现状，旨在大幅降低晶圆成本，为电动汽车(EV)及可再生能源领域的SiC电力电子设备奠定坚实基础。
Halo Industries凭借自身的制造创新，显著提高了SiC晶圆的产量和质量，加速了多个下游应用的增长机会——包括电动汽车(EV)、电动汽车充电站、太阳能/风能电子、电网基础设施、工业电机驱动、暖通空调、电力轨道/交通和航空航天/国防。
Halo Industries强调，其独创的激光切割方法相比传统锯切技术，在减少晶圆缺陷、降低能源与水资源消耗方面展现出显著优势。SiC材料因其更宽的电子带隙特性，被视为高效功率
电子器件的理想选择，而Halo的技术正是“解锁”这一潜力的关键。
公司首席执行官Andrei Iancu表示：“通过我们的激光切片工具，Halo不仅提高了SiC的产量与质量，还极大减少了浪费与生产成本，为清洁能源技术的快速发展注入了强劲动力。”
随着市场对高能效电力电子产品的需求激增，Halo的激光制造工具与SiC生产策略被视为推动可持续电气化进程的一大“利器”。
Halo已展现出强劲的生产能力：目前月产晶圆达1000片，并计划在今年年底前提升至2.4万片，其增长潜力与行业需求正好契合。
据分析师报告，2019年全球SiC晶圆产量约为1亿片，预示着这一市场巨大的增长空间。Halo的技术创新不仅提升了每锭片的产量，还有效避免了传统方法中的晶圆弯曲与翘曲问题，进一步巩固了其市场领先地位。
美国加州能源委员会项目的成功验证了Halo技术的卓越性能，其零材料损耗潜力及高效批量生产力，预示着导电SiC衬底成本的显著降低，为先进电力电子产品带来前所未有的性价比优势。Halo正积极扩大产能，以满足日益增长的市场需求，并持续推动半导体工业向更加清洁、高效的方向发展。
此次融资，不仅为Halo的未来发展奠定了坚实的资金基础，更为其技术创新与市场拓展提供了无限可能。
Halo Industries正以其独特的激光技术与坚定的市场愿景，引领着SiC晶圆生产的新纪元，为全球清洁能源革命贡献重要力量。
