据“中国光谷”报道，近日，位于武汉左岭大道与武黄大道交汇处的光谷高端微
电子器件产业园一期宣告建成，多家企业即将入驻，与之一路之隔的二期项目也同步启动建设，预计2027年建成投用。
该产业园地处光谷智能制造产业园内，由武汉葛化集团有限公司打造，总建筑面积约25万平方米，分两期规划建设。其中一期建筑面积18万平方米，包括2栋高层研发楼、1栋多功能展示大厅和9栋研发生产厂房，重点承接泛半导体领域企业的研发验证、中试试验及小规模适应性生产。
招商进展方面，目前蔚能电池等多家企业已完成签约，即将入驻一期，业务范围覆盖化合物半导体、先进封装、高端装备、新能源电池等领域。其中，蔚能电池租赁整层约4000平方米厂房，将在此落地电池正极材料修复中试线，设计年产能约2000吨。该中试线的建设，有望为新能源电池材料的循环再生利用提供重要的试验验证平台。
二期项目总建筑面积约7.2万平方米，可提供约5.2万平方米高洁净度等级生产车间。为适配泛半导体企业量产线建设需求，二期厂房单层最大面积约1.2万平方米，同时配套建设特气站、大宗气站、多品类化学品库、综合动力站等公用设施，能够为入驻企业集中供应半导体工艺所需的超纯水、冷热源等关键资源。
按照建设计划，二期将于2027年6月完成厂房主体结构和配套站房施工，同年12月完成产线设备联调联试并正式投用，后续将重点面向半导体设备、材料和零部件等产业链环节企业开展招商。
产业园周边已聚集TCL华星、天马微电子、安扬激光、国创科等一批企业，覆盖新型显示、智能制造等产业方向，待园区整体投用后，将进一步融入区域产业生态，缩短入驻企业与链上龙头企业之间的物理协作距离。
原标题：光谷高端微电子器件产业园一期建成
