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离子束刻蚀作为纯物理定向溅射微纳加工工艺，凭借无化学选择性、可倾斜加工、纳米级轮廓精准控制的优势，成为衍射光栅、集成光子芯片、红外光学元件、激光器件等光电器件的核心制造工艺。德国ADL GG 12 Beam是专为考夫曼与ECR离子源适配的1.2kW束流主电源，能够为光学领域离子束刻蚀工艺提供持续、稳定、高精度的离子束能量与束流输出，规避工艺波动带来的器件缺陷，保障光学微纳结构加工的一致性、精度与成品良率，应用于精密光学镀膜、光波导加工、激光器件制备、衍射光学元件量产等光电精密制造场景。
离子束刻蚀主要在高真空环境下开展，通过激发惰性气体产生高能离子束，定向轰击工件表面，依靠物理溅射作用逐层剥离材料，实现精密图形转移与微纳轮廓成型。该工艺全程不依赖化学反应，弥补传统湿法刻蚀、等离子刻蚀的材料局限性，可加工各类光学薄膜、单晶晶体、贵金属薄膜等特殊材料，适配光电领域特种元器件的加工需求
相较于传统微纳刻蚀工艺，离子束刻蚀在光学元器件制造中的应用优势突出。其一，工艺适配性强，可通过调整样品台倾斜角度，制备斜面光栅、锯齿浮雕结构等特殊微纳形貌，是AR/VR光波导光栅、激光脉冲压缩光栅等光学器件的优选加工工艺。其二，加工精度达标纳米级厚度与轮廓控制标准，加工表面损伤低，可满足光学元件精密修形、光学薄膜超薄减薄的精度需求。其三，工艺参数可控性强，离子束能量、束流电流可独立连续调节，工艺重复性好，适配实验室新品研发试制与工业化中试量产需求。
GG 12 Beam电源由德国ADL原厂研发制造，额定功率1.2kW，适配考夫曼离子源与ECR离子源，匹配光学离子束刻蚀、离子束辅助沉积等真空光学工艺，核心输出参数稳定可靠。设备最大输出电压可达2000V直流，最大输出电流1A，全系参数支持0至100%全范围连续可调，电压、电流调节精度可达±1%标称值，能够匹配不同光学器件的刻蚀工艺参数需求。
设备采用标准工业供电设计，适配230V、50/60Hz工业交流输入，搭载标准风冷散热模式，散热效率稳定，可支持设备长时间不间断连续运行，适配光学产线常态化作业需求。机身配备3位半高清数字显示屏，可实时本地可视化显示束流电压、电流数据，支持面板本地参数设定，操作便捷直观，便于工作人员实时监测、调试工艺参数。
光学刻蚀产线对设备联动性、自动化程度、工艺可追溯性有明确标准，需要电源设备与真空系统、样品台运动控制系统、设备PLC系统实现闭环联动。GG 12 Beam电源搭载多类工业通讯接口，可实现设备无缝集成，适配各类自动化光学加工设备。
在光电元器件中，金、铂、铱、钌等贵金属薄膜常作为光学电极、透光导电层、防护涂层使用。这类贵金属材料化学稳定性强，传统化学刻蚀选择性差、加工精度低、易产生边缘缺陷，离子束纯物理刻蚀是适配性较好的加工方案。依托GG 12 Beam稳定的束流供给，可实现纳米级贵金属薄膜的精密图形转移，保障薄膜图形边缘陡直、尺寸精准，适配光电器件的封装与导电透光需求。
